SQ2310ES-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 20 В, 0.024 Ом, 4.5 В, 600 мВ

PartNumber: SQ2310ES-T1-GE3
Ном. номер: 8096799056
Производитель: Vishay
SQ2310ES-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 2748 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
35 × = 35
от 25 шт. — 33 руб.
от 100 шт. — 30 руб.

Описание

The SQ2310ES-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• AEC-Q101 qualified
• Halogen-free
• -55 to 175°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2364102

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.024Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
600мВ
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SQ2310ES-T1-GE3