SQ2310ES-T1_GE4, MOSFET N-Ch 20V 6A Auto 1

PartNumber: SQ2310ES-T1_GE4
Ном. номер: 8117977128
Производитель: Vishay
SQ2310ES-T1_GE4, MOSFET N-Ch 20V 6A Auto 1
Доступно на заказ 70 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
62 × = 620
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 37 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SQ2310ES-T1_GE4 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 20 V, 3-pin SOT-23

Технические параметры

разрешение
Trench MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
3.04 x 1.4 x 1.02mm
высота
1.02mm
длина
3.04mm
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Resistance
0.054 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-23
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
387 pF@ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
ширина
1.4mm
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V

Дополнительная информация

SQ2310ES, Automotive N-Channel 20V ...