SQD50P04-09L-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -40 В, 0.0076 Ом, -10 В, -1.5 В

PartNumber: SQD50P04-09L-GE3
Ном. номер: 8053697881
Производитель: Vishay
SQD50P04-09L-GE3, МОП-транзистор, P Канал ...
Доступно на заказ 1542 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
160 × = 160
от 25 шт. — 135 руб.
от 100 шт. — 125 руб.

Описание

The SQD50P04-09L-GE3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• AEC-Q101 qualified
• Package with low thermal resistance
• Halogen-free
• -55 to 175°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1869920

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
-50А
Напряжение Истока-стока Vds
-40В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0076Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.5В
Рассеиваемая Мощность
136Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SQD50P04-09L-GE3