SST39SF040-70-4I-NHE, Флеш память, NOR, 4 Мбит, 512К x 8бит, LCC, 32 вывод(-ов)

PartNumber: SST39SF040-70-4I-NHE
Ном. номер: 8058582424
Производитель: Microchip
SST39SF040-70-4I-NHE, Флеш память, NOR ...
Доступно на заказ 424 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
180 × = 180
от 10 шт. — 138 руб.
от 25 шт. — 123 руб.

Описание

The SST39SF040-70-4I-NHE is a 4MB CMOS multi-purpose Flash Memory manufactured with SSTs proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The device writes with a 4.5 to 5.5V power supply. Featuring high performance byte-program, the device provides a maximum byte-program time of 20µsec. This device uses toggle bit or data# polling to indicate the completion of program operation. To protect against inadvertent write, it has on-chip hardware and software data protection schemes. Designed, manufactured and tested for a wide spectrum of applications, this device is offered with a guaranteed typical endurance of 100000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.

• Superior reliability
• Low power consumption
• Sector-erase capability - uniform 4Kbyte word sectors
• Fast read access time - 70ns
• Latched address and data
• Automatic write timing - internal VPP generation
• Fast erase and byte-program
• End-of-write detection
• TTL I/O compatibility

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Код: 1829980

Технические параметры

Размер Памяти
4Мбит
Конфигурация Флэш-памяти
512К x 8бит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
LCC
Количество Выводов
32вывод(-ов)
Время Доступа
70нс
Минимальное Напряжение Питания
4.5В
Максимальное Напряжение Питания
5.5В
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
85°C
Упаковка
Поштучно
Линия Продукции
5V Parallel NOR Flash Memories
Тип Памяти
Флэш - ИЛИ-НЕ
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet SST39SF040-70-4I-NHE