SST39SF040-70-4I-NHE, Флеш память, NOR, 4 Мбит, 512К x 8бит, LCC, 32 вывод(-ов)

PartNumber: SST39SF040-70-4I-NHE
Ном. номер: 8058582424
Производитель: Microchip
SST39SF040-70-4I-NHE, Флеш память, NOR ...
Доступно на заказ 424 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
180 × = 180
от 10 шт. — 138 руб.
от 25 шт. — 123 руб.


The SST39SF040-70-4I-NHE is a 4MB CMOS multi-purpose Flash Memory manufactured with SSTs proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The device writes with a 4.5 to 5.5V power supply. Featuring high performance byte-program, the device provides a maximum byte-program time of 20µsec. This device uses toggle bit or data# polling to indicate the completion of program operation. To protect against inadvertent write, it has on-chip hardware and software data protection schemes. Designed, manufactured and tested for a wide spectrum of applications, this device is offered with a guaranteed typical endurance of 100000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.

• Superior reliability
• Low power consumption
• Sector-erase capability - uniform 4Kbyte word sectors
• Fast read access time - 70ns
• Latched address and data
• Automatic write timing - internal VPP generation
• Fast erase and byte-program
• End-of-write detection
• TTL I/O compatibility

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Код: 1829980

Технические параметры

Размер Памяти
Конфигурация Флэш-памяти
512К x 8бит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Количество Выводов
Время Доступа
Минимальное Напряжение Питания
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Рабочая Температура
Максимальная Рабочая Температура
Линия Продукции
5V Parallel NOR Flash Memories
Тип Памяти
Флэш - ИЛИ-НЕ
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet SST39SF040-70-4I-NHE