SST39VF800A-70-4C-EKE, Флеш память, 8 Мбит, 512К x 16бит, 14 МГц, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов)

PartNumber: SST39VF800A-70-4C-EKE
Ном. номер: 8069588238
Производитель: Microchip
SST39VF800A-70-4C-EKE, Флеш память, 8 Мбит ...
Доступно на заказ 292 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
140 × = 140
от 10 шт. — 104 руб.
от 25 шт. — 87 руб.

Описание

The SST39VF800A-70-4C-EKE is a 8MB CMOS multi-purpose Flash Memory manufactured with SST proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The device writes with a 3 to 3.6V power supply. This device conforms to JEDEC standard pinouts for x16 memories. Featuring high-performance word-program, the device provides a typical word-program time of 14µsec. The device uses toggle bit or data# polling to detect the completion of the program or erase operation. To protect against inadvertent write, it has on-chip hardware and software data protection schemes. Designed, manufactured and tested for a wide spectrum of applications, this device is offered with a guaranteed typical endurance of 100000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.

• Superior reliability
• Low power consumption
• Sector-erase capability - uniform 2K word sectors
• Block-erase capability - Uniform 32K word blocks
• Fast read access time - 55ns
• Latched address and data
• Fast erase and word-program
• Automatic write timing - internal VPP generation
• End-of-write detection
• CMOS I/O compatibility

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Код: 1368673

Технические параметры

Размер Памяти
8Мбит
Конфигурация Флэш-памяти
512К x 16бит
Тактовая Частота
14МГц
Тип Интерфейса ИС
Параллельный
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
TSOP
Количество Выводов
48вывод(-ов)
Время Доступа
70нс
Минимальное Напряжение Питания
2.7В
Максимальное Напряжение Питания
3.6В
Минимальная Рабочая Температура
0°C
Максимальная Рабочая Температура
70°C
Упаковка
Поштучно
Линия Продукции
3V Parallel NOR Flash Memories
Тип Памяти
Флэш
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet SST39VF800A-70-4C-EKE