STB11NK40ZT4, Транзистор полевой N-канальный 400В 9А 110Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
878 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 23 шт. —
230 руб.
от 45 шт. —
210 руб.
от 89 шт. —
204 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 400В 9А 110Вт
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Id - непрерывный ток утечки: | 9 A | |
| Pd - рассеивание мощности: | 110 W | |
| Qg - заряд затвора: | 32 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 550 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 400 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 30 V, + 30 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3 V | |
| Вид монтажа: | SMD/SMT | |
| Время нарастания: | 20 ns | |
| Время спада: | 18 ns | |
| Высота: | 4.6 mm | |
| Длина: | 10.4 mm | |
| Канальный режим: | Enhancement | |
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| Количество каналов: | 1 Channel | |
| Конфигурация: | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 5.8 S | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Подкатегория: | MOSFETs | |
| Полярность транзистора: | N-Channel | |
| Производитель: | STMicroelectronics | |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 | |
| Серия: | STB11NK40ZT4 | |
| Технология: | Si | |
| Тип продукта: | MOSFET | |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel | |
| Тип: | MOSFET | |
| Типичное время задержки выключения: | 40 ns | |
| Типичное время задержки при включении: | 20 ns | |
| Торговая марка: | STMicroelectronics | |
| Упаковка / блок: | TO-263-3 | |
| Ширина: | 9.35 mm | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 18 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 5.8 S | |
| Height | 4.6 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A | |
| Length | 10.4 mm | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-263-3 | |
| Packaging | Cut Tape | |
| Pd - Power Dissipation | 110 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms | |
| Rise Time | 20 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | STB11NK40Z | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | |
| Unit Weight | 0.139332 oz | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 9.35 mm | |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet STB11NK40ZT4
pdf, 728 КБ
Datasheet STB11NK40ZT4, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP
pdf, 746 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
