STB12NK80ZT4, MOSFET N-CH 800V 10.5A Su

PartNumber: STB12NK80ZT4
Ном. номер: 8068694383
Производитель: ST Microelectronics
STB12NK80ZT4, MOSFET N-CH 800V 10.5A Su
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
410 × = 820
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 24 шт. — 280 руб.
от 100 шт. — 227.90 руб.

Описание

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-CH 800V 10.5A SuperMESH D2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Максимальный непрерывный ток стока
10.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.75 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
800 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
190 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
4
Типичный заряд затвора при Vgs
87 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2620 pF @ 25 V
Типичное время задержки выключения
70 нс
Типичное время задержки включения
30 ns
Ширина
9.35mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
4.6mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Datasheet