STB130N6F7, MOSFET N-Ch 60V 80A STrip

PartNumber: STB130N6F7
Ном. номер: 8006776290
Производитель: ST Microelectronics
STB130N6F7, MOSFET N-Ch 60V 80A STrip
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
180 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 130 руб.

Описание

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
STMicroelectronics STB130N6F7 N-channel MOSFET Transistor, 60 A, 60 V, 3-Pin D2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное сопротивление сток-исток
5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
160 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
42 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2600 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
62 нс
Типичное время задержки включения
24 ns
Ширина
9.35mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.6mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

STB130N6F7, N-Channel 60V, 80A STripFET F7 ...