STB13NK60ZT4, MOSFET N-Ch 600V 13A Supe

PartNumber: STB13NK60ZT4
Ном. номер: 8035479436
Производитель: ST Microelectronics
STB13NK60ZT4, MOSFET N-Ch 600V 13A Supe
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
340 × = 680
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 10 шт. — 190 руб.

Описание

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
STMicroelectronics STB13NK60ZT4 N-channel MOSFET Transistor, 13 A, 600 V, 3-pin D2PAK

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 9.35 x 4.6mm
высота
4.6mm
длина
10.4mm
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Resistance
0.55 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
150 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
D2PAK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
66 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2030 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
61 ns
Typical Turn-On Delay Time
22 ns
ширина
9.35mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

MOSFET N-ch 13A 600V SuperMESH D2PAK