STB32N65M5, MOSFET N-Channel 650V 24A

PartNumber: STB32N65M5
Ном. номер: 8005029665
Производитель: ST Microelectronics
STB32N65M5, MOSFET N-Channel 650V 24A
Доступно на заказ более 5 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
850 × = 850

Описание

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
STMicroelectronics STB32N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 24 A, 650 V, 2+Tab-Pin TO-263

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
10.75 x 10.4 x 4.6мм
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.119 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-263
Число контактов
2
Типичный заряд затвора при Vgs
72 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3320 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
53 ns
Ширина
10.4mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
4.6mm
Длина
10.75mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A ...