STB33N60DM2, MOSFET N-ch 600V 24A MDMe

PartNumber: STB33N60DM2
Ном. номер: 8054862732
Производитель: ST Microelectronics
STB33N60DM2, MOSFET N-ch 600V 24A MDMe
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
380 × = 760
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 10 шт. — 240 руб.

Описание

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
STMicroelectronics STB33N60DM2 N-channel MOSFET Transistor, 25 A, 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK

Технические параметры

Высота
4.6mm
Максимальное сопротивление сток-исток
0.13 Ω
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6
Длина
10.4mm
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
190 W
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Ширина
9.35mm
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Число контактов
2+Tab
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Прямое напряжение диода
1.6V
Категория
Мощный МОП-транзистор
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
47 nC @ 10 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Номер канала
Поднятие
Материал транзистора
Si
Тип корпуса
D2PAK
Максимальный непрерывный ток стока
25 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Новинки
только новые товары

Дополнительная информация

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 ...