STB34N65M5, MOSFET N-Channel 650V 28A

PartNumber: STB34N65M5
Ном. номер: 8004664788
Производитель: ST Microelectronics
STB34N65M5, MOSFET N-Channel 650V 28A
Доступно на заказ более 8 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
590 × = 590

Описание

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 650V 28A D2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.11 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
190 W
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
62.5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2700 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
59 ns
Типичное время задержки включения
59 ns
Ширина
9.35mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
4.6mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

ST*34N65M5 N-channel V Power MOSFET Data Sheet