STB45N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
2 440 руб.
от 2 шт. —
2 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 440 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 650V, 35A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.067ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Powe
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Id - Continuous Drain Current | 35 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 208 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 78 mOhms |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh M5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
...45N65M5
pdf, 1678 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
