STB6N60M2, MOSFET N-Channel 600V 4.5

PartNumber: STB6N60M2
Ном. номер: 8014763233
Производитель: ST Microelectronics
STB6N60M2, MOSFET N-Channel 600V 4.5
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 550
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 600V 4.5A D2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.35мм
Максимальный непрерывный ток стока
4.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
1.2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при -10 В
Типичная входная емкость при Vds
232 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
24 нс
Типичное время задержки включения
9.5 нс
Ширина
4.6mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
9.35mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

STB6N60M2, STD6N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET