STD13N60M2, MOSFET N-Channel 600V 12A

PartNumber: STD13N60M2
Ном. номер: 8001233941
Производитель: ST Microelectronics
STD13N60M2, MOSFET N-Channel 600V 12A
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 850
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
STMicroelectronics STD13N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 650 V, 3-pin DPAK

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
6.6 x 6.2 x 2.4mm
высота
2.4mm
длина
6.6mm
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Resistance
0.38 Ω
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
110 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
DPAK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
580 pF@ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
41 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
ширина
6.2mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

ST*13N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET