STD13N65M2, MOSFET N-Ch 650V 10A MDme

PartNumber: STD13N65M2
Ном. номер: 8062121796
Производитель: ST Microelectronics
STD13N65M2, MOSFET N-Ch 650V 10A MDme
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
180 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 94 руб.
от 250 шт. — 68.24 руб.

Описание

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 650V 10A MDmesh M2 DPAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.43 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
650 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
110 W
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
590 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
38 нс
Типичное время задержки включения
11 ns
Ширина
6.2mm
Прямое напряжение диода
1.6V
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
2.4mm
Длина
6.6mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

STD13N65M2 N-channel 650 V 10 A MDmesh Power ...