STD1HN60K3, Power MOSFET N ch SuperME

PartNumber: STD1HN60K3
Ном. номер: 8057052035
Производитель: ST Microelectronics
STD1HN60K3, Power MOSFET N ch SuperME
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
75 × = 750
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 100 шт. — 47 руб.
от 200 шт. — 39.50 руб.

Описание

N-channel MDmesh™ K3 series, SuperMESH3™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Power MOSFET N ch SuperMESH3 600V 1.2A

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Максимальный непрерывный ток стока
1.2 A
Максимальное сопротивление сток-исток
8 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
27 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
9.5 nC@ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
140 пФ при 50 В
Типичное время задержки выключения
23 нс
Типичное время задержки включения
7 нс
Ширина
6.2mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
2.4mm
Длина
6.6mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Power MOSFET N ch SuperMESH3 600V 1.2A Data Sheet