STD7N60M2, Power MOSFET N ch MDmesh

PartNumber: STD7N60M2
Ном. номер: 8029835379
Производитель: ST Microelectronics
STD7N60M2, Power MOSFET N ch MDmesh
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
76 × = 760
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 100 шт. — 49 руб.
от 200 шт. — 40.60 руб.

Описание

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Power MOSFET N ch MDmesh II plus 600V 5A

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.95 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
8.8 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
271 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
19.1 лм
Типичное время задержки включения
7.6 ns
Ширина
6.2mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
2.4mm
Длина
6.6mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Power MOSFET N ch MDmesh II plus 600V 5A Data ...