STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP]
![Фото 1/5 STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC001652280.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
373 шт. со склада г.Москва
250 руб.
от 15 шт. —
209 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.36 Ом/5.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 | |
| Корпус | TO-220FP | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
...13NM60N
pdf, 984 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1416 КБ
Datasheet
pdf, 564 КБ
Datasheet STF13NM60N
pdf, 455 КБ
STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N, STU13NM60N
pdf, 458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
