STF18N60M2, MOSFET N-Ch 600V 13A MDme

PartNumber: STF18N60M2
Ном. номер: 8071853380
Производитель: ST Microelectronics
STF18N60M2, MOSFET N-Ch 600V 13A MDme
Доступно на заказ 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
180 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M2 series of Power MOSFETs are ideal for use in resonant-type supplies (LLC converters). Their profile has a low gate charge combined with an excellent output capacitance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 600V 13A MDmesh II TO-220FP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 4.6 x 16.4
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.28 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
650 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
25 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220FP
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
21.5 nC@ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
791 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
47 нс
Типичное время задержки включения
12 ns
Ширина
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
16.4mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

STF18N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET