STF33N60M2, MOSFET N-Ch 600V 26A MDme

PartNumber: STF33N60M2
Ном. номер: 8030955413
Производитель: ST Microelectronics
STF33N60M2, MOSFET N-Ch 600V 26A MDme
Доступно на заказ более 6 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
810 × = 810

Описание

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 600V 26A MDmeshIIPlusTO220FP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 4.6 x 16.4мм
Максимальный непрерывный ток стока
26 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.125 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
650 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
35 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220FP
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
45.5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1781 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
109 нс
Типичное время задержки включения
16 нс
Ширина
4.6mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
16.4mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2 ...