Добавить к сравнению Сравнить ()

STF6N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 650 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: STF6N65M2
Ном. номер: 8040906598
Производитель: ST Microelectronics
STF6N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 650 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 1834 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
110 × = 110
от 25 шт. — 93 руб.
от 100 шт. — 74 руб.

Описание

The STF6N65M2 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Due to their strip layout and improved vertical structure, the device exhibits low ON-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.

• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% Avalanche tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220FP
Рассеиваемая Мощность
20Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet STF6N65M2