STF6N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 650 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: STF6N65M2
Ном. номер: 8040906598
Производитель: ST Microelectronics
STF6N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 1839 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
120 × = 120
от 25 шт. — 100 руб.
от 100 шт. — 80 руб.

Описание

The STF6N65M2 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Due to their strip layout and improved vertical structure, the device exhibits low ON-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.

• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% Avalanche tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2460388

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
20Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220FP
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet STF6N65M2