STFI31N65M5, MOSFET N-Channel 650V 22A

PartNumber: STFI31N65M5
Ном. номер: 8026143442
Производитель: ST Microelectronics
STFI31N65M5, MOSFET N-Channel 650V 22A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
320 × = 1 600
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 650V 22A I2PAKFP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
10.4 x 4.6 x 10.85
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.148 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
30 W
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
I2PAKFP
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при -10 В
Типичная входная емкость при Vds
1865 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
46 нс
Типичное время задержки включения
46 ns
Ширина
4.6mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
10.85mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

ST*31N65M5 N-channel V Power MOSFET Data Sheet