STGB10M65DF2, IGBT, SINGLE, 650V, 20A, TO-263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1888 шт., срок 8-10 недель
470 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
325 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 820 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
115W 20A 650V FS(Field Stop) D2PAK IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 20А |
| Power Dissipation | 115Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Collector Current (Ic) | 20A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 96ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 115W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 40A |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.27mJ |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.12mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1136 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
