Добавить к сравнению Сравнить ()

STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А, [D2-PAK]

Артикул: STGB10NB37LZ
Ном. номер: 9000042382
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А, [D2-PAK]
Фото 2/2 STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А, [D2-PAK]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
120 × = 120
от 5 шт. — 99 руб.
от 50 шт. — 97.20 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
Управляющее напряжение,В
2.4
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

STGB10NB37LZ datasheet
pdf, 127 КБ

Дополнительная информация

STGB10NB37LZ STGP10NB37LZ 10 A - 410 V internally clamped IGBT Data Sheet STGB10NB37LZ
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов