STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]

Фото 1/7 STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
157 шт. со склада г.Москва
210 руб.
от 15 шт.209 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000348755
Артикул: STGB10NC60HDT4
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 20A 65Вт DІPak Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Технология/семейство PowerMESH
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 72
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус d2pak
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 741 КБ
Datasheet
pdf, 752 КБ
Datasheet
pdf, 772 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.