STGB18N40LZT4, STMicroelectronics, STGB1

PartNumber: STGB18N40LZT4
Ном. номер: 8019667271
Производитель: ST Microelectronics
STGB18N40LZT4, STMicroelectronics, STGB1
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
150 × = 750
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
STMicroelectronics, STGB18N40LZT4

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
16V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Ширина
9.35mm
Высота
4.6mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

STGB18N40LZ STGD18N40LZ, STGP18N40LZ