STGB18N40LZT4, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.35 В, 150 Вт, 390 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

PartNumber: STGB18N40LZT4
Ном. номер: 8030700617
Производитель: ST Microelectronics
STGB18N40LZT4, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.35 В ...
Доступно на заказ 1465 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 170
от 25 шт. — 147 руб.
от 100 шт. — 134 руб.

Описание

The STGB18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.

• ESD gate-emitter protection
• Gate-collector high voltage clamping
• Logic level gate drive
• Low saturation voltage
• High pulsed current capability
• Gate and gate-emitter resistor
• 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 2344079

Технические параметры

DC Ток Коллектора
30А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.35В
Рассеиваемая Мощность
150Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
390В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C

Дополнительная информация

Datasheet STGB18N40LZT4