STGB40H65FB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1963 шт., срок 7-9 недель
930 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
790 руб.
от 100 шт. —
629 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 790 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar TransistorsSTMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 283Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | 650V HB |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 283 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGB40H65FB |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
