Добавить к сравнению Сравнить ()

STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [DPAK]

Артикул: STGD18N40LZT4
Ном. номер: 9000150015
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [DPAK]
Фото 2/2 STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [DPAK]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
80 × = 80
от 25 шт. — 77 руб.
от 250 шт. — 76 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STGD18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.

• ESD gate-emitter protection
• Gate-collector high voltage clamping
• Logic level gate drive
• Low saturation voltage
• High pulsed current capability
• Gate and gate-emitter resistor
• 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH

Технические параметры

Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.3
Управляющее напряжение,В
1.6
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+175
Корпус

Техническая документация

STGD18N40LZT4
pdf, 887 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STGD18N40LZT4
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов