Добавить к сравнению Сравнить ()

STGD5NB120SZT4, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.2 кВ, 75 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)

PartNumber: STGD5NB120SZT4
Ном. номер: 8039373170
Производитель: ST Microelectronics
STGD5NB120SZT4, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.2 кВ, 75 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)
Доступно на заказ 2328 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
130 × = 130
от 70 шт. — 91 руб.
от 200 шт. — 79 руб.

Описание

The STGD5NB120SZT4 is a 1200V Low Drop Internally Clamped IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in inrush current limitation and pre-heating for electronic lamp ballast. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.

• Low on-voltage drop
• High current capability
• Off losses include tail current
• High voltage clamping, low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
75Вт
DC Ток Коллектора
10А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.2кВ

Дополнительная информация

Datasheet STGD5NB120SZT4