STGF3NC120HD, STGF3NC120HD,IGBT N-ch 1

PartNumber: STGF3NC120HD
Ном. номер: 8041799098
Производитель: ST Microelectronics
STGF3NC120HD, STGF3NC120HD,IGBT N-ch 1
Доступно на заказ 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 850
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 140 руб.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
STMicroelectronics STGF3NC120HD N-channel IGBT Transistor, 6 A 1200 V, 1MHz, 3-pin TO-220FP

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 4.6 x 16.4mm
высота
16.4mm
длина
10.4mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
6 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
25 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
ширина
4.6mm

Дополнительная информация

STGB3NC120HD, STGF3NC120HD, STGP3NC120HD, 7A ...