STGF6NC60HD, STGF6NC60HD,IGBT N-ch 600

PartNumber: STGF6NC60HD
Ном. номер: 8033249808
Производитель: ST Microelectronics
STGF6NC60HD, STGF6NC60HD,IGBT N-ch 600
Доступно на заказ 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
140 × = 700
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 80 руб.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
STMicroelectronics STGF6NC60HD N-channel IGBT Transistor, 6 A 600 V, 1MHz, 3-pin TO-220FP

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 4.6 x 16.4mm
высота
16.4mm
длина
10.4mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
6 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
20 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
ширина
4.6mm

Дополнительная информация

STGB6NC60HD - STGB6NC60HD-1, STGF6NC60HD - ...