STGP30H65F, IGBT N-Channel 650V 30A H

PartNumber: STGP30H65F
Ном. номер: 8014849406
Производитель: ST Microelectronics
STGP30H65F, IGBT N-Channel 650V 30A H
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
290 × = 580
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
IGBT N-Channel 650V 30A High-Speed TO220

Технические параметры

Конфигурация
Single
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
260 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Ширина
5.15mm
Высота
20.15мм
Длина
15.75mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

STGB30H60DF, STGF30H60DF, STGP30H60DF ...