STGP30NC60W, STMicroelectronics, STGP3

PartNumber: STGP30NC60W
Ном. номер: 8025529050
Производитель: ST Microelectronics
STGP30NC60W, STMicroelectronics, STGP3
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
450 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
STMicroelectronics, STGP30NC60W

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Ширина
4.6mm
Высота
15.75mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

30 A - 600 V - ultra fast IGBT