STGW30V60DF, IGBT Trench gate,600V 30A

PartNumber: STGW30V60DF
Ном. номер: 8032856859
Производитель: ST Microelectronics
STGW30V60DF, IGBT Trench gate,600V 30A
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
190 × = 950
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 160 руб.
от 50 шт. — 141.20 руб.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
STMicroelectronics STGW30V60DF, 30 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-247

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
258 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Ширина
5.15mm
Высота
20.15мм
Длина
15.75mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

600V, 30A Very High Speed Trench Gate ...