STGW40M120DF3, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.85 В, 468 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: STGW40M120DF3
Ном. номер: 8096167701
Производитель: ST Microelectronics
STGW40M120DF3, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.85 В ...
Доступно на заказ 535 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
820 × = 820
от 25 шт. — 669 руб.
от 100 шт. — 591 руб.

Описание

The STGW40M120DF3 is a Trench gate field-stop IGBT developed using an advanced proprietary Trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBT, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

• Tight parameters distribution
• Safer paralleling
• Low thermal resistance
• Soft and fast recovery anti-parallel diode
• 10µs Short-circuit withstand time

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 2470028

Технические параметры

DC Ток Коллектора
80А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.85В
Рассеиваемая Мощность
468Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C

Дополнительная информация

Datasheet STGW40M120DF3