STGW40V60DF, IGBT Trench gate,600V 40A

PartNumber: STGW40V60DF
Ном. номер: 8070074208
Производитель: ST Microelectronics
STGW40V60DF, IGBT Trench gate,600V 40A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
390 × = 1 950
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 290 руб.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
STMicroelectronics STGW40V60DF N-channel IGBT Transistor, 40 A 600 V, 1MHz, 3-pin TO-247

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.75 x 5.15 x 20.15mm
высота
20.15mm
длина
15.75mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
283 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-247
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
ширина
5.15mm

Дополнительная информация

600V, 40A Very High Speed Trench Gate ...