STGW60V60DLF, IGBT Trench gate,600V 60A

PartNumber: STGW60V60DLF
Ном. номер: 8093716632
Производитель: ST Microelectronics
STGW60V60DLF, IGBT Trench gate,600V 60A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
320 × = 1 600
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 270 руб.
от 50 шт. — 241.40 руб.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
STMicroelectronics STGW60V60DLF, 60 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-247

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
375 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Ширина
5.15
Высота
20.15mm
Длина
15.75mm
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия

Дополнительная информация

New 600V IGBTs - V Series Data Sheet