STGWA20H65DFB2, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.65 В, 147 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Фото 1/3 STGWA20H65DFB2, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.65 В, 147 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
104 шт., срок 8-10 недель
630 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.530 руб.
от 100 шт.437 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 3 150 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8004139134
Артикул: STGWA20H65DFB2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 40А
Power Dissipation 147Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HB2
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Pd - рассеивание мощности 147 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 600
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 250 nA
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number STGWA20 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
ECCN EAR99
Gate Charge 56nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 147W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 215ns
Series HB2 ->
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Switching Energy 265ВµJ (on), 214ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 16ns/78.8ns
Test Condition 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 40 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 147 W
Number of Transistors 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 6.1

Техническая документация

Datasheet STGWA20H65DFB2
pdf, 539 КБ
Datasheet STGWA20H65DFB2
pdf, 523 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.