STGWA20H65DFB2, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.65 В, 147 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
104 шт., срок 8-10 недель
630 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
530 руб.
от 100 шт. —
437 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 150 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 40А |
Power Dissipation | 147Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HB2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Pd - рассеивание мощности | 147 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 600 |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Base Product Number | STGWA20 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 56nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 147W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 215ns |
Series | HB2 -> |
Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
Switching Energy | 265ВµJ (on), 214ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 16ns/78.8ns |
Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 147 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet STGWA20H65DFB2
pdf, 539 КБ
Datasheet STGWA20H65DFB2
pdf, 523 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары