STGWA20IH65DF, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.55 В, 159 Вт, 650 В, TO-247LL, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 шт., срок 8-10 недель
580 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
490 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 900 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Power Dissipation | 159Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | IH |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247LL |
| Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet STGWA20IH65DF
pdf, 321 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![MSG50T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 50А 320Вт [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
