STGWA30H65DFB2, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.65 В, 167 Вт, 650 В, TO-247LL, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

46 шт., срок 8-10 недель

640 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 540 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 560 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004138574

Артикул: STGWA30H65DFB2

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.

Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	50А
Power Dissipation	167Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	HB2
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247LL
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	167 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Вес, г	0.01