STGWA40H65FB, IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247

STGWA40H65FB, IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 шт., срок 8-10 недель
1 200 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 600 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8399989025
Артикул: STGWA40H65FB
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W сквозное отверстие TO-247, длинные выводы

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.6В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 80А
Power Dissipation 283Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HB
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Base Product Number STGWA40 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
ECCN EAR99
Gate Charge 210nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 283W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HB ->
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Switching Energy 498ВµJ (on), 363ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 40ns/142ns
Test Condition 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Вес, г 4.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 449 КБ
Datasheet STGWA40H65FB
pdf, 1077 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.