STGWT40H65DFB, IGBT Trench HB Series 650

PartNumber: STGWT40H65DFB
Ном. номер: 8055634775
Производитель: ST Microelectronics
STGWT40H65DFB, IGBT Trench HB Series 650
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
480 × = 480

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
IGBT Trench HB Series 650V 40A TO-3P

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.8 x 5 x 20.1мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
283 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-3P
Число контактов
3
Ширина
5mm
Высота
20.1mm
Длина
15.8мм
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

STGW40H65DFB, STGWT40H65DFB, Trench Gate ...