STGWT60H65DFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В, TO-3P, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 шт., срок 8-10 недель
1 350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 120 руб.
от 100 шт. —
913 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 700 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 375Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | 650V HB |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
Base Product Number | STGWT60 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 306nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Power - Max | 375W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-3P |
Switching Energy | 1.09mJ (on), 626ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 51ns/160ns |
Test Condition | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 300 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-3P |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 375 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGWT60H65DFB |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 375 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | TO-3P |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары