STGWT80V60DF, IGBT, SINGLE, 600V, 120A, TO-3P-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

270 шт., срок 8-10 недель

3 210 руб.

от 5 шт. — 2 750 руб.

от 10 шт. — 2 250 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 210 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8045371819

Артикул: STGWT80V60DF

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Полевой упор для траншеи IGBT 600 В, 120 А, 469 Вт, сквозное отверстие TO-3P

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	120А
Power Dissipation	469Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	V
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3P
Base Product Number	STGWT80 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	120A
Current - Collector Pulsed (Icm)	240A
ECCN	EAR99
Gate Charge	448nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	469W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	60ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-3P
Switching Energy	1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	60ns/220ns
Test Condition	400V, 80A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Вес, г	0.01