STH170N8F7-2, MOSFET N-Ch 80V 120A STri

PartNumber: STH170N8F7-2
Ном. номер: 8009870046
Производитель: ST Microelectronics
STH170N8F7-2, MOSFET N-Ch 80V 120A STri
Доступно на заказ более 7 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
710 × = 710
от 10 шт. — 380 руб.
от 50 шт. — 288.40 руб.

Описание

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 80V 120A STripFET F7 H2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 10.57 x 4.8мм
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0037 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
250 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
H2PAK
Число контактов
2
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
8710 pF @ 40 V
Типичное время задержки выключения
79 ns
Типичное время задержки включения
38 ns
Ширина
10.57mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.8mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

STP170N8F7, N-Channel 80V, 120A ...