STH175N4F6-2AG, MOSFET N-Ch 40V 120A STri

PartNumber: STH175N4F6-2AG
Ном. номер: 8064600319
Производитель: ST Microelectronics
STH175N4F6-2AG, MOSFET N-Ch 40V 120A STri
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
160 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 110 руб.

Описание

N-Channel STripFET™ F6, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 40V 120A STripFET F6 H2PAK-2

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 9.17 x 4.8мм
Максимальный непрерывный ток стока
120 А
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0024 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
H2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
7735 пФ при 20 В
Типичное время задержки выключения
106 нс
Типичное время задержки включения
24 ns
Ширина
9.17mm
Прямое напряжение диода
1.3V
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
4.8mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG N-channel 40 V ...