STI24N60M2, Power MOSFET Nch MDmesh I

PartNumber: STI24N60M2
Ном. номер: 8013018480
Производитель: ST Microelectronics
STI24N60M2, Power MOSFET Nch MDmesh I
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
200 × = 1 000
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Power MOSFET Nch MDmesh II plus 600V 18A

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.35мм
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.19 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
I2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1060 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки включения
14 ns
Ширина
4.6mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
9.35mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

N-Channel 600V, 0.168 Ohm typ., 18A MDmesh II ...