STI57N65M5, MOSFET N-Channel 650V 42A

PartNumber: STI57N65M5
Ном. номер: 8036492927
Производитель: ST Microelectronics
STI57N65M5, MOSFET N-Channel 650V 42A
Доступно на заказ более 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 030 × = 1 030

Описание

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 650V 42A I2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.35мм
Максимальный непрерывный ток стока
42 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.063 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
250 W
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
I2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
98 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
4200 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
71 lm
Типичное время задержки включения
73 ns
Ширина
4.6mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
9.35mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

ST*57N65M5 N-channel V Power MOSFET Data Sheet